Инструкция по эксплуатации CITIZEN SR-281
Страница 3
и те же регистры.
• Для замены содержимого регистра памяти высвеченным на
экране числом следует нажать [ Х-*М ].
• Чтобы вычистить содержимое регистра памяти, нажмите
последовательно [ 0 ] [ Х-М ], [ СЕ ] [ Х-М ] или [ 0 ] [ STO ] [ М ].
> [(Зх5) + ( 56 ^7) + ( 74-8x7)] = 41
0[Х-»М]
0.
3[х]5[М*]56Ш7[М*]74 [-
]8[х] 7[М *]
DEG
74-8*7М* М
1 8 .
[MR]
М М 4 1 .
0[Х-НИ]
DEG
0.
(Примечание): Вместо нажатия [ STO ] или [ Х-*М ] для записи
числа в память, можно записать число в память
М нажатием [ М+ ]. Однако при нажатии [ STO ] [
М ] или [ Х-*М ] прежнее значение, записанное в
регистре М будет вычищено и заменено новым.
При использовании команды [ М+ ] записываемое
число прибавляется к числу, записанному в
памяти.
Порядок операций
Расчеты производятся в соответствии с приоритетом операций.
1) Дроби
2) Выражения в скобках
3) Преобразования координат ( P-*R , R-*P )
4) Функции типа А, исполнение которых требует нажатия
клавиша функции после введения аргумента, например,
x^l/x, ж, 3d, %, RND, ENG, ""'-*, -*о«>, х
т
, у'.
5) х*, f
6) Функции типа В, исполнение которых требует нажатия
клавиша функции перед введением аргумента, например, sin,
cos, tan, sin
-1
, cos ~ , tan
-1
, sinh, cosh, tanh, sinh
-1
, cosh
-1
,
tanh ~
л
, log, In, FRAC, INT, / , ^T, 10
x
, e
x
, NOT, EXP, DATA в
режиме STAT.
7) +/-,
NEC
8) nPr,
nCr
9) x,4
-
Ю )
+ , -
11) AND, NAND — только в режиме Base-n
12) OR, XOR, XNOR — только в режиме Base-n
Точность и разрядность
Число разрядов в результате: До 12 знаков.
Число знаков при расчетах: До 14 знаков.
В вычислениях можно высветить 12-значные числа или
использовать 12-значную мантиссу плюс 2-значный показатель
степени (до 10 *")
Вводимые числа и аргументы функций должны соответствовать
допустимым пределам:
Функции
Пределы
Sinx
Градусы: X | <4.5 x 10
10
deg
tanx
Радианы: X <2.5x 10 ?rrad
Grad: | x | <5xlo
10
grad
однако для tanx
Deg : |x |* 90( 2n +1)
Rad: | x | Ф 1 (2n+1)
Grad : | X | Ф 100 (2n+1), (n целое число)
sin
-1
x, cos
-1
x
| x | s 1
tan 'x
| x | < 1 x 1 0
1 0 0
sinh x, cosh x
I X I
S 230.2585092
tanhx
|x|
<1x10
1cc
sinh~'x
I V I
I
A
I
< 5 x 1 0 "
cosh^x
1 £ x<5x 10"
tanh -' x
I
v
I .
| Л | < 1
log x, In x
1x10-"S x<1x10
1c
°
10"
-1x10
1cc
<x<100
e*
-1x10™<xS 230.2585092
Л
OS x<1x10™
X
X
<1x10™
X
3
X
< 2.15443469003 x 10 **
1/x
X
<1x10
1cc
, x*0
?л
X
<1x10
1co
XI
OS x S 69, x целое число.
R—P
7х
т
Ту
т
< 1х 10"°
P->R
OS
г
Deg
:
Rad
:
Grad
одна
к
D
<1x10"° e| <4.5x10
lo
deg «j
<2.5x10
8
irrad e <5x10
lo
grad
о для tan x «| *90(2n+1)
\в ' ф 100 (2n+1), (n целое
число)
+,„
|
D
|,M, S<1x10"", OS M,S
.,„->
| x | < 1 x 1 0 " °