Инструкция по эксплуатации CITIZEN SR-281

Страница 3

Advertising
background image

и те же регистры.

• Для замены содержимого регистра памяти высвеченным на

экране числом следует нажать [ Х-*М ].

• Чтобы вычистить содержимое регистра памяти, нажмите

последовательно [ 0 ] [ Х-М ], [ СЕ ] [ Х-М ] или [ 0 ] [ STO ] [ М ].

> [(Зх5) + ( 56 ^7) + ( 74-8x7)] = 41

0[Х-»М]

0.

3[х]5[М*]56Ш7[М*]74 [-

]8[х] 7[М *]

DEG

74-8*7М* М
1 8 .

[MR]

М М 4 1 .

0[Х-НИ]

DEG

0.

(Примечание): Вместо нажатия [ STO ] или [ Х-*М ] для записи

числа в память, можно записать число в память
М нажатием [ М+ ]. Однако при нажатии [ STO ] [
М ] или [ Х-*М ] прежнее значение, записанное в
регистре М будет вычищено и заменено новым.
При использовании команды [ М+ ] записываемое
число прибавляется к числу, записанному в
памяти.

Порядок операций

Расчеты производятся в соответствии с приоритетом операций.

1) Дроби

2) Выражения в скобках
3) Преобразования координат ( P-*R , R-*P )
4) Функции типа А, исполнение которых требует нажатия

клавиша функции после введения аргумента, например,
x^l/x, ж, 3d, %, RND, ENG, ""'-*, -*о«>, х

т

, у'.

5) х*, f

6) Функции типа В, исполнение которых требует нажатия

клавиша функции перед введением аргумента, например, sin,
cos, tan, sin

-1

, cos ~ , tan

-1

, sinh, cosh, tanh, sinh

-1

, cosh

-1

,

tanh ~

л

, log, In, FRAC, INT, / , ^T, 10

x

, e

x

, NOT, EXP, DATA в

режиме STAT.

7) +/-,

NEC

8) nPr,

nCr

9) x,4

-

Ю )

+ , -

11) AND, NAND — только в режиме Base-n

12) OR, XOR, XNOR — только в режиме Base-n

Точность и разрядность

Число разрядов в результате: До 12 знаков.

Число знаков при расчетах: До 14 знаков.

В вычислениях можно высветить 12-значные числа или

использовать 12-значную мантиссу плюс 2-значный показатель

степени (до 10 *")

Вводимые числа и аргументы функций должны соответствовать
допустимым пределам:

Функции

Пределы

Sinx

Градусы: X | <4.5 x 10

10

deg

tanx

Радианы: X <2.5x 10 ?rrad

Grad: | x | <5xlo

10

grad

однако для tanx

Deg : |x |* 90( 2n +1)

Rad: | x | Ф 1 (2n+1)

Grad : | X | Ф 100 (2n+1), (n целое число)

sin

-1

x, cos

-1

x

| x | s 1

tan 'x

| x | < 1 x 1 0

1 0 0

sinh x, cosh x

I X I

S 230.2585092

tanhx

|x|

<1x10

1cc

sinh~'x

I V I

I

A

I

< 5 x 1 0 "

cosh^x

1 £ x<5x 10"

tanh -' x

I

v

I .

| Л | < 1

log x, In x

1x10-"S x<1x10

1c

°

10"

-1x10

1cc

<x<100

e*

-1x10™<xS 230.2585092

Л

OS x<1x10™

X

X

<1x10™

X

3

X

< 2.15443469003 x 10 **

1/x

X

<1x10

1cc

, x*0

X

<1x10

1co

XI

OS x S 69, x целое число.

R—P

т

Ту

т

< 1х 10"°

P->R

OS
г
Deg
:
Rad
:
Grad
одна
к
D

<1x10"° e| <4.5x10

lo

deg «j

<2.5x10

8

irrad e <5x10

lo

grad

о для tan x «| *90(2n+1)

' ф 100 (2n+1), (n целое

число)

+,„

|

D

|,M, S<1x10"", OS M,S

.,„->

| x | < 1 x 1 0 " °

Advertising
Эта инструкция подходит к следующим моделям: